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征稿范围:

1、真空电子器件
    各种行波管,正交场器件(振荡器和放大器),速调管,多注速调管,感应输出管,快波器件(回旋振荡器件和放大器件),自由电子激光和脉塞,脉冲压缩器件,等离子体填充放大器和振荡器,高功率微波源和定向能器件,三极管/四极管/五极管,功率开关器件,显示器件和光源,真空光电探测器件,霍尔器件,射线器件,电子加速器件。

2. 真空微纳电子学
    微波毫米波太赫兹振荡器和放大器,场发射阵列,平板显示,传感器和探测器。
3. 组件和系统
    微波毫米波功率模块,电子功率适配器/调制器/电源,线性化器,放大器及天线耦合,器件和系统集成,可靠性。
4. 技术
    阴极和其他电子发射源,部件技术 (如:电子枪,高频电路,输能窗和收集极等),计算机物理模型及软件技术,新材料(如:介质材料,薄膜技术,磁性材料,纳米材料,碳类材料),射频击穿技术,线性化技术,互调和噪声,测量技术,小型化技术,微加工技术,3D加工技术,热功率管理和控制技术。
5. 真空电子器件应用
    国防,雷达,电信,医疗,粒子加速器,电磁兼容,仪器仪表,材料处理,电视和显示,电推技术,原子钟技术,工业应用。

 

 


可靠性专题

  • 宽带大功率行波管可靠性增长技术研究

    邱立;王严梅;

    本文以某型宽带大功率行波管为例,对其在生产和使用过程中的失效模式及形成原因进行了分析,给出了解决方案。经过验证,这些改进措施有效地提高了产品的可靠性,实现了行波管可靠性增长。

    2017年01期 No.326 1-5页 [查看摘要][在线阅读][下载 474K]
  • 高可靠空间行波管产品工艺保障问题的思考

    赵世柯;王严梅;

    本文对空间行波管制造涉及的工艺技术进行了概括性介绍和分析,并围绕空间行波管可靠性工艺保障问题,提出了一些建议和措施,希望能为高可靠空间行波管产品后续工艺工作的深入开展提供参考。

    2017年01期 No.326 6-10页 [查看摘要][在线阅读][下载 380K]
  • 行波管发射机系统失配的一种解决方案

    龚海华;孟晓君;王经强;

    本文描述了一例行波管发射机系统失配的典型故障现象,并对该故障发生的机理进行了分析,探讨了几种可行的解决方案,并提出了一种采用失配波导模拟整机馈线驻波特性从而使行波管提前适应整机工作条件的可行方案,通过该方案的实施大幅提高了行波管在整机上工作的可靠性。

    2017年01期 No.326 11-13页 [查看摘要][在线阅读][下载 171K]
  • 一种基于试验和理论推导的金属材料高温弹性模量的提取方法

    宋芳芳;恩云飞;吕东亚;何小琦;许沙;李斌;

    为解决由于现有测试方法和测试手段的局限,一些难熔金属材料的高温物理特性无法直接测试的难题,研究提出一种试验测试和理论计算相结合的高温弹性模量提取方法。研究结果表明:此种方法以较低温度(300℃以下)下试验测试数据为基础,建立拟合回归方程,外推获得1000℃以上温度的材料的弹性模量值,解决了难熔金属材料高温弹性模量因材料氧化而无法直接准确测量的问题,可应用于产品可靠性设计,有效提高仿真计算结果的准确度。

    2017年01期 No.326 14-17页 [查看摘要][在线阅读][下载 392K]
  • MPM用小型化宽带行波管可靠性的Bayes方法估计

    王伟;邵淑伟;

    微波功率模块(MPM)集合了电真空器件和固态器件的优点,是未来军用微波领域的重要研究方向,作为MPM核心器件的行波管的可靠性研究就显得尤为重要。本文基于Bayes理论的无失效数据分析方法,建立了数学模型,推导出产品失效率λ的后验分布计算公式,并结合实例对应用于某型MPM的小型化宽带行波管的可靠性指标失效率和平均无故障工作时间进行了预估,结果表明,该方法的计算结果符合工程实际,对其他行波管产品的可靠性分析也具有借鉴意义。

    2017年01期 No.326 18-21页 [查看摘要][在线阅读][下载 205K]
  • 钡钨扩散阴极中毒特性综述

    于志强;高玉娟;邵文生;李季;张珂;

    钡钨扩散阴极,尤其是是覆膜钡钨阴极,因为其出色的热电子发射能力以及良好的抗中毒能力,是当前大功率微波器件中应用最为广泛的热电子源。而阴极中毒,即非预期的阴极发射能力降低的现象是微波管生产与使用过程中出现概率最高的可靠性问题。本文主要就普通钡钨阴极及覆膜钡钨阴极的中毒表现进行介绍,并分析其过程,探讨中毒机理。

    2017年01期 No.326 22-27页 [查看摘要][在线阅读][下载 721K]
  • 弹载速调管存储寿命技术研究

    周军;欧阳佳佳;王坤;杨继涛;

    本文针对弹载速调管的长寿命存储技术开展了科学研究,通过理论分析及试验验证,查明了速调管存储失效的原因,并进行了技术改进,改进后的试验结果表明改进措施切实有效。本文提出了一种新型的适用于弹载速调管的真空度的检测方法,并据此制订了弹载速调管的存储筛选试验方案。最终验证采用此研究成果制备的弹载速调管其储存寿命可以达到12年。

    2017年01期 No.326 28-30页 [查看摘要][在线阅读][下载 252K]

动态信息

  • 智能压电材料传感器应用前景广泛

    <正>在我们生活的周围存在着无限的动能,压电材料有助于充分吸收、储存和使用各类机械动能,改变人与自然的互动方式。伴随着数字无线传输技术的日益成熟,智能压电材料传感器应用愈加普及,特别是未来物联网的快速发展。基于硅半导体的压电材料通常为晶体状态,可有效将各类微小的机械动能转化为所需的电能,当对压电材料施加外部机械动能时,材料内部电荷重新排列形成电位差。最典型的压电材料应用是打

    2017年01期 No.326 5页 [查看摘要][在线阅读][下载 57K]
  • 2016年中国真空电子行业协会第七届全体会员代表大会暨行业发展研讨会会议纪要

    <正>2017年2月27日-3月1日,中国真空电子行业协会在北京珀丽酒店召开了中国真空电子行业协会第七届全体会员代表大会暨行业发展研讨会,工业与信息化部电子信息司、人事教育司,中国电子科技集团公司第十二研究所,南京三乐集团有限公司,南京中电熊猫照明有限公司,中科院电子所,东芝白云真空开关管(锦州)有限公司、陕西宝光电器股份有限公司、成都国光电气股份有限公司等60多家单位80多位名代表出席了会议。

    2017年01期 No.326 76页 [查看摘要][在线阅读][下载 54K]

综述

  • 真空电子器件的新机理研究

    廖复疆;

    本文对近年来真空电子器件研究中出现的一些新概念、新设想进行了介绍和评述。随着毫米波和太赫兹频域的进一步开拓,对工作在这些频域真空电子器件的频率、功率、带宽、效率和微制造提出了更高的要求。带状电子注和多电子注是提高器件功率的重要途径;光子带隙技术和真空电子器件的结合为新型器件的发展提供了新的方法;陶瓷行波管的研制给我们带来全新的概念;特别是纳米真空三极管和光三极管概念的提出,为真空电子器件回归数字电路技术展示出令人鼓舞的前景。

    2017年01期 No.326 31-38+44页 [查看摘要][在线阅读][下载 1010K]
  • 功率电子器件用高热导热率的封接、封装材料

    高陇桥;

    当今,功率电子器件的发展方向是大功率、超高频,热耗散成为关键技术问题。本文对常用和前瞻性的陶瓷基和金属基高热导率的材料作了介绍和评估。特别是指出了它们在实际应用中优缺点。

    2017年01期 No.326 39-44页 [查看摘要][在线阅读][下载 504K]

研究与设计

  • 一个Ku波段大功率行波管的研制

    字张雄;王翠莲;范丽丽;张广庆;鲁燕萍;储开荣;张珂;

    本文介绍了一支Ku波段大功率耦合腔行波管的研制情况,该管采用双阳极栅控电子枪、一体化电磁聚焦等非常规技术,行波管性能得到全方位突破,平均功率大于2kW,脉冲宽度2ms,瞬时相对带宽12%,实现了优异的综合技术指标。

    2017年01期 No.326 45-47+62页 [查看摘要][在线阅读][下载 474K]
  • 磁聚焦多级降压收集极的设计及优化

    申鑫;苏小保;唐康淞;尚新文;

    磁聚焦多级降压收集极能够更好地降低电子回流率同时提高收集极回收效率,对研制高效率空间行波管具有重要意义。利用电子科技大学研发的微波模拟器套装软件分析二次电子发射、聚焦磁场参数和收集级结构参数对磁聚焦收集极收集效率和回流率的影响。根据分析结果为某在研Ka波段100 W空间行波管设计四级磁聚焦降压收集极。优化后最终计算结果显示,在行波管电子效率为27.15%时,考虑二次电子发射收集极收集效率达到82.83%,行波管总效率达到68.46%。

    2017年01期 No.326 48-53页 [查看摘要][在线阅读][下载 811K]
  • 一种行波管栅极脉冲电源的设计和研究

    周雪莲;吴庭金;杨世航;

    近年来,发射机小型化已经成为一种重要发展趋势。本文介绍的这种发射机行波管栅极脉冲电源,正是为了顺应这种趋势。与以往在发射机调制器高压端对栅极脉冲电源进行调节的做法不同,该栅极脉冲电源在低压端进行控制。本文重点介绍了低压端控制高压端栅极脉冲电源的原理、设计思路分析以及大量实验论证。通过实验证明,该行波管栅极脉冲电源可以满足行波管±1%的参数指标要求,高低温特性好,可调节范围大,纹波小,在型号上面可以得到广泛应用。

    2017年01期 No.326 54-57+75页 [查看摘要][在线阅读][下载 548K]
  • 阴极发射不足引发微波管高压击穿现象的研究

    阴生毅;顾红红;张永清;丁耀根;杜锡九;

    关于阴极发射不足引发微波管高压击穿的机理一直缺乏相应的阐述。本文以一只高功率速调管为对象,记录了该管产生高压击穿时的阴极工作条件;计算了击穿点处阴极表面的静电场强度;找出了阴极边缘产生发射不足的原因;分析了发射不足对阴极发射点处电场分布的影响;论述了阴极边缘发射不足引发高压击穿的机理。研究表明,阴极边缘发射不足引起的发射点场增强效应、以及阴极边缘毛刺引起的场增强效应,共同作用使得微波管产生了高压击穿现象。

    2017年01期 No.326 58-62页 [查看摘要][在线阅读][下载 423K]
  • 角向加载双扇环螺旋线慢波结构高频特性分析

    王学楠;

    本文提出一种新型螺旋线慢波结构——角向加载双扇环螺旋线慢波结构,即在圆形金属屏蔽框内对称加载两个具有扇环横截面形状的自由螺旋线慢波结构,利用三维电磁仿真软件对其高频特性(色散特性和耦合阻抗)进行模拟计算,得到高频特性随结构参数的变化规律。结果表明:随着两扇环螺旋线的中心间距和扇环圆心角的增大,该角向加载双扇环螺旋线慢波结构色散减弱,且慢波相速减小,有助于降低工作电压,可拓宽电子注与行波同步的频率范围,耦合阻抗则呈现减小趋势。由于电子注通道可设在螺旋线外部空间,因此增大电流横截面积可使输入直流功率增加,从而具有提升输出功率的潜力。

    2017年01期 No.326 63-65+21页 [查看摘要][在线阅读][下载 515K]

工艺与应用

  • H3BO3添加对(Mg0.75Zn0.25)TiO3-0.1CaTiO3微波介质陶瓷性能的影响

    陶煜;钟朝位;陈松;刘稷;

    H_3BO_3作为降烧剂加入(Mg_(0.75)Zn_(0.25))TiO_3-0.1CaTiO_3微波介质陶瓷,应用XRD、SEM和微波介电性能测试等手段,研究了H_3BO_3对(Mg_(0.75)Zn_(0.25))TiO_3-0.1CaTiO_3微波介质陶瓷结构与性能的影响规律。实验结果表明,适量H_3BO_3添加能有效促进(Mg_(0.75)Zn_(0.25))TiO_3-0.1CaTiO_3陶瓷的烧结,大幅降低其陶瓷的烧结温度,同时还保持良好的微波电学性能。当H_3BO_3添加量为25%(质量比)时,在950℃保温3h烧结后,其性能如下:品质因数与频率的乘积Q×f~20498(f=6.875GHz)介电常数ε_r~25.2,频率温度系数τ_f~-14×10~(-6)/℃,该材料可望在中温微波MLCC中得到应用。

    2017年01期 No.326 66-69+21页 [查看摘要][在线阅读][下载 685K]
  • 镀镍零部件真空扩散堵漏钎料的研究

    李海涛;谢书凯;张亮;聂学峰;曲文卿;

    针对真空电子器件中容易漏气的镀镍零部件,研制成功了三种镓基堵漏钎料。应用扫描电镜、能谱分析仪、微观硬度仪分析三种堵漏钎料形成的扩散接头,并进行了不同扩散温度下的对比试验。结果表明:三种钎料均能与镀镍不锈钢形成良好的扩散接头,接头可达到气密性要求(Q_L<5×10~(-9) Pa·m~3/s);在三种钎料中,Ga-15In钎料与镀镍不锈钢的互扩散效果最佳,Ga-15In钎料在650℃与镀镍不锈钢互扩散效果达到最佳。

    2017年01期 No.326 70-72页 [查看摘要][在线阅读][下载 399K]
  • 真空触发开关的触发极结构研究

    张亚丽;冯卫刚;

    触发极是真空触发开关的核心元件。本文介绍了两种触发结构的触发机理、结构、工艺难点、解决办法及试验结果,对比了两种不同触发结构的优缺点及性能特点。

    2017年01期 No.326 73-75页 [查看摘要][在线阅读][下载 222K]
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